『壹』 1、什麼是雙極型晶體管（BTJ）它有哪兩種形式
由兩個背靠背PN結構成的以獲得電壓、電流或信號增益的晶體三極體。
雙極型晶體管有兩種基本結構：PNP型和NPN型
『貳』 異質結雙極型晶體管的基本特徵
一種異質結雙極型晶體管，其特徵在於，具備以下各部分：高濃度n型第一子集電極層；形成於所述第一子集電極層上，且由與所述第一子集電極層相比能帶隙更小的材料構成的高濃度n型第二子集電極層；形成於所述第二子集電極層的規定部分上的i型或者低濃度n型集電極層；形成於所述集電極層上的高濃度p型的基極層；形成於所述基極層上，且由與所述基極層相比能帶隙更大的材料構成的n型發射極層；形成於所述發射極層上的規定部分上的高濃度n型發射極蓋體層；形成於所述發射極蓋體層上，且由與所述發射極蓋體層相比能帶隙更小的材料構成的高濃度n型發射極接觸層；形成於所述發射極接觸層上，且由一個或者多個導電層構成的發射極電極；形成於所述發射極層的未形成所述發射極蓋體層的部分上，且由一個或者多個導電層構成的基極電極；形成於所述第二子集電極層上的未形成所述集電極層的部分上，且由一個或者多個導電層構成的集電極電極，其中，在所述發射極接觸層的所述發射極電極的下側部分，形成第一合金化反應層；在所述發射極層的所述基極電極的下側部分，形成第二合金化反應層；在所述第二子集電極層的所述集電極電極的下側部分，形成第三合金化反應層。
『叄』 什麼是單極型晶體管和雙極型晶體管
一、單極型晶體管
在目前使用的pnp或npn面結型晶體管的工作中，包括金屬-氧化物-半導體晶體管在內的場效應晶體管，只需要一種載流子，這種晶體管就叫做單極晶體管。單極晶體管即場效應晶體管，因為場效應晶體管在工作時，半導體中只有多數載流子起主要作用，所以又稱為單極晶體管。
二、雙極型晶體管
晶體管全稱雙極型三極體(Bipolar junction transistor，BJT)又稱晶體三極體，簡稱三極體，是一種固體半導體器件，可用於檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制等。
晶體管作為一種可變開關．基於輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可用作電流的開關。和一般機械開關(如Relay、switch)不同的是：晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度非常快，在實驗室中的切換速度可達100吉赫茲以上。
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雙極型晶體管與MOSFET的比較：
1、驅動功率不同
場效應管是壓控器件，其柵源極輸入阻抗極高，只需要在柵源極間建立電場，即可控制漏源極電流。柵極驅動電壓僅在輸入端柵源極電容之間建立充電電流，而不直接驅動IDS。
因此，其輸入阻抗與電子管相近，這就使得MOSFET器件驅動電路大大簡化，用CMOS器件、TTL器件等均可以組成柵極驅動電路，使整機功耗減小。
2、二次擊穿現象不同
二次擊穿是指由於雙極型晶體管具有正溫度系數特性，集電極電流產生的溫升使集電極電流上升，如此惡性循環，造成晶體管熱擊穿。功率MOS管電流IDS為負溫度系數，隨著溫度的升高，電流受到限制，因此不會發生二次擊穿現象，安全工作區較雙極型器件也更寬。
3、並聯使用不同
為了增大MOSFET的工作電流，可以把多個MOS管並聯使用。功率MOS器件的導通電阻RDS(ON)具有正溫度系數，隨著溫度的升高，導通電阻也越大。這種特性使得MOS管容易並聯，並且在並聯使用時漏極電流具有自動均流作用，不必外加均流電阻。
4、開關速度不同
場效應管是一種由多數載流子參與導電的單極型器件，通過控制柵源電壓控制產品的開關，無少子存儲問題，因而關斷過程非常迅速；當驅動脈沖截止時，只要利用簡單的放電電路將柵源電容的充電電荷釋放即可立即關斷。
相比雙極型晶體管，功率MOS管具有輸入阻抗高、驅動電流小的優點，還具有耐壓高、輸出功率高、跨導線性好、無二次擊穿等優良特性，能夠有效提高系統效率、減小設備體積，因此在開關電源、逆變器、功率放大器等電路中使用廣泛。
『肆』 異質結雙極型晶體管的製作方法
在高濃度n型第一子集電極層(102)上，依次形成：由能帶隙小的材料構成的高濃度n型第二子集電極層(108)；由i型或者低濃度n型集電極層(103)；高濃度p型基極層(104)；由能帶隙大的材料構成的n型發射極層(105)；高濃度n型發射極蓋體層(106)；由能帶隙小的材料構成的高濃度n型發射極接觸層(107)。發射極電極(111)、基極電極(112)、以及集電極電極(113)的各自的下側形成合金化反應層(114)～(116)。由此，基於本發明的異質結雙極型晶體管，不僅可以降低製造成本，還能夠實現各電極的良好的歐姆特性。
『伍』 解釋雙極結型晶體管的電流集聚效應
由於基區擴展電阻的存在，當基極電流流過時，在有源和無源的基區都要產生橫向的電位降，從而使發射結上產生非均勻載流子的注入。非均勻載流子的注入使沿著發射結出非均勻的電流分布，造成發射結邊緣有著更高的電流密度，這種現象稱為電流集聚效應。
『陸』 如何減小雙極結型晶體管的發射結電流極邊效應
對於pnp管在n區增加參雜濃度。或者npn管增加p區參雜濃度。
『柒』 雙極型晶體管與場效應晶體管有何區別
Bipolar-junction transistor(BJT) -----雙極型晶體管
1.電流控制電流的流控器件
2.有兩種載流子參與導電過程(這也是為什麼叫雙極型的原因），多子是電子，少子是空穴(以NPN型舉例），少子容易受溫度影響,熱穩定性差
3.輸入輸出迴路皆有電流參與，故功耗相對來說比較大
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Field-effect transistor(FET)------場效應管
1.電壓控制電流的壓控器件
2.只有一種載流子參與導電，也稱為單極型管，也正如此，受溫度影響較低，熱穩定性好
3.只有一個迴路參與導電，故功耗相對較低
4.最小可製作到納米級，容易集成，所以廣泛應用於大規模集成電路中
『捌』 BJT雙極結型晶體管的優缺點
優點：
1、電流控制器件，電流電壓放大能力強；
2、電路多樣，且參考資料多，電路形式非常靈活，適應性強；
3、成本低，購買方便。
缺點：
1、受溫度影響大，熱穩定性比較差；
2、功耗大。
『玖』 雙極晶體管的工作原理
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個二極體接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態下，基極-發射極結（稱這個PN結為「發射結」）處於正向偏置狀態，而基極-集電極（稱這個PN結為「集電結」）則處於反向偏置狀態。
在沒有外加電壓時，發射結N區的電子（這一區域的多數載流子）濃度大於P區的電子濃度，部分電子將擴散到P區。同理，P區的部分空穴也將擴散到N區。
這樣，發射結上將形成一個空間電荷區（也成為耗盡層），產生一個內在的電場，其方向由N區指向P區，這個電場將阻礙上述擴散過程的進一步發生，從而達成動態平衡。
這時，如果把一個正向電壓施加在發射結上，上述載流子擴散運動和耗盡層中內在電場之間的動態平衡將被打破，這樣會使熱激發電子注入基極區域。在NPN型晶體管里，基區為P型摻雜，這里空穴為多數摻雜物質，因此在這區域電子被稱為「少數載流子」。
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雙極型三極體不能直接代替MOS管，這是因為它們的控制特性不一MOS管是電壓控制的器件，而雙極性三極體是電流控制的器件。場效應管的控制電路是電壓型的，雙極性三極體不能直接代換場效應管的，原驅動MOS管的電路由於驅動電流太小，不足於驅動雙極性三極。
要想用原電路驅動雙極性三極體，必須要在雙極性三極體之前加裝電流放大裝置。基於這個思想，在雙極性三極體之前加裝電流放大器，把電壓驅動改為了電流驅動，即可代換成功。