『壹』 1、什么是双极型晶体管（BTJ）它有哪两种形式
由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。
双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型
『贰』 异质结双极型晶体管的基本特征
一种异质结双极型晶体管，其特征在于，具备以下各部分：高浓度n型第一子集电极层；形成于所述第一子集电极层上，且由与所述第一子集电极层相比能带隙更小的材料构成的高浓度n型第二子集电极层；形成于所述第二子集电极层的规定部分上的i型或者低浓度n型集电极层；形成于所述集电极层上的高浓度p型的基极层；形成于所述基极层上，且由与所述基极层相比能带隙更大的材料构成的n型发射极层；形成于所述发射极层上的规定部分上的高浓度n型发射极盖体层；形成于所述发射极盖体层上，且由与所述发射极盖体层相比能带隙更小的材料构成的高浓度n型发射极接触层；形成于所述发射极接触层上，且由一个或者多个导电层构成的发射极电极；形成于所述发射极层的未形成所述发射极盖体层的部分上，且由一个或者多个导电层构成的基极电极；形成于所述第二子集电极层上的未形成所述集电极层的部分上，且由一个或者多个导电层构成的集电极电极，其中，在所述发射极接触层的所述发射极电极的下侧部分，形成第一合金化反应层；在所述发射极层的所述基极电极的下侧部分，形成第二合金化反应层；在所述第二子集电极层的所述集电极电极的下侧部分，形成第三合金化反应层。
『叁』 什么是单极型晶体管和双极型晶体管
一、单极型晶体管
在目前使用的pnp或npn面结型晶体管的工作中，包括金属-氧化物-半导体晶体管在内的场效应晶体管，只需要一种载流子，这种晶体管就叫做单极晶体管。单极晶体管即场效应晶体管，因为场效应晶体管在工作时，半导体中只有多数载流子起主要作用，所以又称为单极晶体管。
二、双极型晶体管
晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor，BJT)又称晶体三极管，简称三极管，是一种固体半导体器件，可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。
晶体管作为一种可变开关．基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可用作电流的开关。和一般机械开关(如Relay、switch)不同的是：晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度非常快，在实验室中的切换速度可达100吉赫兹以上。
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双极型晶体管与MOSFET的比较：
1、驱动功率不同
场效应管是压控器件，其栅源极输入阻抗极高，只需要在栅源极间建立电场，即可控制漏源极电流。栅极驱动电压仅在输入端栅源极电容之间建立充电电流，而不直接驱动IDS。
因此，其输入阻抗与电子管相近，这就使得MOSFET器件驱动电路大大简化，用CMOS器件、TTL器件等均可以组成栅极驱动电路，使整机功耗减小。
2、二次击穿现象不同
二次击穿是指由于双极型晶体管具有正温度系数特性，集电极电流产生的温升使集电极电流上升，如此恶性循环，造成晶体管热击穿。功率MOS管电流IDS为负温度系数，随着温度的升高，电流受到限制，因此不会发生二次击穿现象，安全工作区较双极型器件也更宽。
3、并联使用不同
为了增大MOSFET的工作电流，可以把多个MOS管并联使用。功率MOS器件的导通电阻RDS(ON)具有正温度系数，随着温度的升高，导通电阻也越大。这种特性使得MOS管容易并联，并且在并联使用时漏极电流具有自动均流作用，不必外加均流电阻。
4、开关速度不同
场效应管是一种由多数载流子参与导电的单极型器件，通过控制栅源电压控制产品的开关，无少子存储问题，因而关断过程非常迅速；当驱动脉冲截止时，只要利用简单的放电电路将栅源电容的充电电荷释放即可立即关断。
相比双极型晶体管，功率MOS管具有输入阻抗高、驱动电流小的优点，还具有耐压高、输出功率高、跨导线性好、无二次击穿等优良特性，能够有效提高系统效率、减小设备体积，因此在开关电源、逆变器、功率放大器等电路中使用广泛。
『肆』 异质结双极型晶体管的制作方法
在高浓度n型第一子集电极层(102)上，依次形成：由能带隙小的材料构成的高浓度n型第二子集电极层(108)；由i型或者低浓度n型集电极层(103)；高浓度p型基极层(104)；由能带隙大的材料构成的n型发射极层(105)；高浓度n型发射极盖体层(106)；由能带隙小的材料构成的高浓度n型发射极接触层(107)。发射极电极(111)、基极电极(112)、以及集电极电极(113)的各自的下侧形成合金化反应层(114)～(116)。由此，基于本发明的异质结双极型晶体管，不仅可以降低制造成本，还能够实现各电极的良好的欧姆特性。
『伍』 解释双极结型晶体管的电流集聚效应
由于基区扩展电阻的存在，当基极电流流过时，在有源和无源的基区都要产生横向的电位降，从而使发射结上产生非均匀载流子的注入。非均匀载流子的注入使沿着发射结出非均匀的电流分布，造成发射结边缘有着更高的电流密度，这种现象称为电流集聚效应。
『陆』 如何减小双极结型晶体管的发射结电流极边效应
对于pnp管在n区增加参杂浓度。或者npn管增加p区参杂浓度。
『柒』 双极型晶体管与场效应晶体管有何区别
Bipolar-junction transistor(BJT) -----双极型晶体管
1.电流控制电流的流控器件
2.有两种载流子参与导电过程(这也是为什么叫双极型的原因），多子是电子，少子是空穴(以NPN型举例），少子容易受温度影响,热稳定性差
3.输入输出回路皆有电流参与，故功耗相对来说比较大
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Field-effect transistor(FET)------场效应管
1.电压控制电流的压控器件
2.只有一种载流子参与导电，也称为单极型管，也正如此，受温度影响较低，热稳定性好
3.只有一个回路参与导电，故功耗相对较低
4.最小可制作到纳米级，容易集成，所以广泛应用于大规模集成电路中
『捌』 BJT双极结型晶体管的优缺点
优点：
1、电流控制器件，电流电压放大能力强；
2、电路多样，且参考资料多，电路形式非常灵活，适应性强；
3、成本低，购买方便。
缺点：
1、受温度影响大，热稳定性比较差；
2、功耗大。
『玖』 双极晶体管的工作原理
NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。
在没有外加电压时，发射结N区的电子（这一区域的多数载流子）浓度大于P区的电子浓度，部分电子将扩散到P区。同理，P区的部分空穴也将扩散到N区。
这样，发射结上将形成一个空间电荷区（也成为耗尽层），产生一个内在的电场，其方向由N区指向P区，这个电场将阻碍上述扩散过程的进一步发生，从而达成动态平衡。
这时，如果把一个正向电压施加在发射结上，上述载流子扩散运动和耗尽层中内在电场之间的动态平衡将被打破，这样会使热激发电子注入基极区域。在NPN型晶体管里，基区为P型掺杂，这里空穴为多数掺杂物质，因此在这区域电子被称为“少数载流子”。
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双极型三极管不能直接代替MOS管，这是因为它们的控制特性不一MOS管是电压控制的器件，而双极性三极管是电流控制的器件。场效应管的控制电路是电压型的，双极性三极管不能直接代换场效应管的，原驱动MOS管的电路由于驱动电流太小，不足于驱动双极性三极。
要想用原电路驱动双极性三极管，必须要在双极性三极管之前加装电流放大装置。基于这个思想，在双极性三极管之前加装电流放大器，把电压驱动改为了电流驱动，即可代换成功。